Смирнова, Н. В. Модели электронной концентрации Д-области ионосферы / Смирнова Н. В., Оглоблина О. Ф., Власков В. А. ; Акад. наук СССР, Кол. фил. им. С. М. Кирова, Поляр. геофиз. ин-т [и др.]. - Препринт ПГИ-84-08-36.

рассчитывать электронную концентрацию от 65 км и выше в дневнюс условиях а от 80 км - в ночных. Электронная концентрация представлена полиномом третьей степени, центрированным в точке перегиба HMD (км): Ng(h) = NMI) exp[FPf x * FPZ X z+ FP}-X 3 ] , где X= h - HMD, NMD - концентрация в точке перегиба, FP. FP, FP, - найдены из экспериментальных профилей Nе(К). Высота точки перегиба., т.е. резкого градиента Ne(K) -про филя, изменяется в пределах от 81 ям днем до 88 ям ночью. Зависи мость электронной концентрации ММЕ в точке перегиба от зенитного угла Солнца и солнечной активности имеет вед: NML(m^=F(R) 2 )-I 0 % x p ( ^ f,7) F (R 12) * 6,05 + 0,088 “R 1 2 где R J 2 - сглаженное цюрихское число солнечных пятен. В модели сделано весьма искусственное предположение, что при зенитном угле X > 60° электронная концентрация NMD умень шается до постоянного ночного уровня N W = 4*10®(м“3), не зави сящего от солнечной активности. Результаты введения этого усло вия будут обсуждены в третьей части работы. Коэффициенты в модели для ночных условий основаны ка очень малочисленных дан ныхе Один тип возмущения в Д-области - зимнюю аномалию (ЗА) в модели предлагается описывать посредством увеличения NMD в 10 раз, 1.3. Эмпирическая модель НИРМ ГЗ] . Эта Эмпирическая модель создана на основе банка данных Г3], включающего более 500 профилей, полученных ракетными методами, 'методами частичных отражений и кроссмодуляции. Модель предназ начена для расчета Ng(h)- профилей в спокойных условиях средне 4