Смирнов, В. С. Волновые процессы в полярной ионосфере / Смирнов В. С., Остапенко А. А. ; Акад. наук СССР, Кол. науч. центр, Поляр. геофиз. ин-т. – Апатиты : [б. и.], 1988. – 114 с.
где 5 { ь * ь * ь } = 0 - 0 >°} » J t * { ° » 1 » °] • 1 з * ( 0 -0 - 1] • (2.116) Очевидно, что введенная матрица удовлетворяет уравнению ( d / da - ikoTo) G ( kt ,г , z0) = Ч9Г18 ( a - a e) / c , (2.117) где I - единичная матрица. Решение уравнения с произвольным током i( k t)S(i-z.) представляется в виде: Л в ( R t , г , г 0) * o ( k t , г , г 0) . ( 2 . I I 8 ) Подставляя в (2.118) эквивалентный ток (2.113) и выполняя синтез (обратное преобразование Фурье), получим следующее представление решения в борновском приближении е ( p , z ) = S 0 (н )с 1'1с*0? . г - * « ) Ъ Д м ) * 14*. (2.119) Для вычисления интеграла синтеза (2.119) перейдем от прямоугольных координат £=(кхку]к полярным kt=ltTtl, >р. 3 этих координатах достаточно определить реше ние вдоль одного направления f=cor\st , например f= 0. Решения для другого направления определяются тензорным характером функции Грина, подробно описан ным в §2.1. Используемая здесь функция Грина отличается от упомянутой только дополнительным учетом вертикальных токов. Аналогично соотношениям (2.57) - (2.62) можно вывести следующий закон преобразования электрических и магнитных компонент решений: СЕ( Е г| ,](у )*М W )C E ,E l E ,] ( 'f =o )M ( f ) , (2.120) где = [ЕХИЕУ 1 ,ЕП , а М( f ) - матрица поворота на угол f : М(ч>)= сов 'f -sin 1* О sin О oos Ч* О О t (2.121) Соотношения (2.120) остаются справедливыми при замене Ё на В и использовались в азимутальной части синтеза, которая , как и радиальная, в рассматриваемом случае вычислялась численным интегрированием. Как указывалось, особенностью наклонного падения альвеновской волны при k t » ко является то, что эта волна проходит на Землю не прямо, а за счет трансформации в ТМ- моду за счет холловс- кой проводимости. На низких частотах маг нитные поля на Земле можно рассчитать по закону Вио-Савара- Лапласа, используя распределение ТМ-то ков, текущих в ионо сфере. При наличии пятна повышенной проводимо сти токи рассеяния, возникающие в пятне, замыкаются в ионосфе ре. Система ионосфер ных токов рассмотрена в главе 4. Для пятен 65
Made with FlippingBook
RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz