Смирнов, В. С. Волновые процессы в полярной ионосфере / Смирнов В. С., Остапенко А. А. ; Акад. наук СССР, Кол. науч. центр, Поляр. геофиз. ин-т. – Апатиты : [б. и.], 1988. – 114 с.

параметров плазмы. В этом случае высотные профили могуг быть получены только спутниками с эксцентричными орбитами. Наряду с вертикальной в спутниковых экспериментах определяется и горизонтальная структура ионосферы (широтная и долготная). На рис.1.19 показаны усредненные профили электронной концентрации дневной внешней ионосферы для различных широт. Большие величи­ ны плотности электронной концен­ трации, наблкщаемые на широтах 53.5 и 77.5°, связаны - в первом случае - с солнечным излучением, во втором - с высыпанием энер­ гичных частиц в области полярно­ го каспа. Солнечное излучение и высыпающиеся частицы ионизируют и нагревают верхнюю ионосферу, что приводит к росту потоков плазмы, вытекающих из ионосферы и, как следствие, увеличению электронной концентрации во внешней ионосфере. В настоящее время наиболее адекватными моделями внешней ио­ носферы являются смешанные моде­ ли, использующие результаты тео­ ретических и экспериментальных данных. Они строятся на основе модели диффузионного равновесия с последующим подбором параметров по экспериментальным данным, полученным как спутниковыми, так и наземными измерениями в различных условиях и областях внешней ионосферы /70/. При построении диффузионной модели обычно вводятся следующие упрощающие предположения: 1) внешняя ионосфера состоит из смеси нейтральных частиц и ионов 0+,Не\Н+; 2 ) солнечная ионизация на этих высотах электронов не образует; 3) пренебрегавтся электронной рекомбинацией; 4) парциальное давление каждой компоненты уравновешено гравитационной, центробежной и электрическими силами; 5) движение заряженных частиц происходит только вдоль силовых линий магнитного поля (пренебрегается поперечным дрейфом частиц); 6 ) для геомагнитного поля используется дипольное приближение. Ось диполя, расположенного в центре Земли, совпадает с осью вращения; 7) температура плазмы в основании силовых трубок обоих полушарий предполагается одинаковой. При учете этих условий распределение плотности электронной концентрации определяется выражением Me ( г ) = No [ £ g Lexp( - г / Н l ) j » (1.38) где fJo»* 2 и—абсолютная электронная и относительная ионная концентрация L-й компоненты на базовом уровне ъ 0 , н = ^ 0( г - г 0)/г- приведенная высота, Рис.1.19. Высотные профили электронной концентрации для различных широт /124/. 30