Развитие радиофизических методов активного воздействия на высокоширотную ионосферу : сборник научных трудов / Рос. акад. наук, Кол. науч. центр, Поляр. геофиз. ин-т ; [отв. ред. А. А. Арыков]. – Апатиты : КНЦ РАН, 1993. - 79 с.

Рис. 6 . Профили электронной концентрации при воздейст­ вии на различных частотах с помощью монэстатической установки. В лабораторных услови­ ях в СВЧ-диапазоне удается сфокусировать пучок, так что самопоглощение не успевает ограничить электронную концентра­ цию / 8 / . Устойчивость ШО. Лабораторный разряд подвержен рас­ слоению е результате разЕНТия различного рода ионизационных неустойчивостзй / 8 / . Аналогичные явления еозмокны и при создании ШО в пересекающихся пучках СВЧ-волн / I / . В случае моностатического воздействия возбуждение ионизационных неус- точивостей затрудняется, поскольку концентрация электрокоЕ далека от критической. Для их развития требуется время, су­ щественно превышающее необходимое для поддержания ШО. Мо­ жет представлять интерес устойчивость естественной ионо­ сферной плазмы в цокритических полях. Здесь возможна само- фокусироЕочная прилипательная неустойчивость с пространст­ венным инкрементом ж * Ю ^ см - 1 на высотах 100-120 км / 9 / . По своему характеру данная неустойчивость отличается от на­ блюдаемой е лабораторной плазме / 10 / , поскольку ее развитие еозможно только благодаря большим пространственным масшта - бам е ионосфере. Свечение ионосферной плазмы. Наряду с ионизацией мо­ лекул энергичными электронами происходит возбуждение их оптических уровней. Метастабильные состояния будут гаситься в межмолекулярных соударениях. Имеется ряд состояний со Бре­ менем жизни порядка десятков наносекунд.Наибольший интерес здесь представляют первая и Еторая положительные и первая отрицательная системы азота. Первач положительная система находится е инфракрасном диапазоне. Вторая положительная 21

RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz