Развитие радиофизических методов активного воздействия на высокоширотную ионосферу : сборник научных трудов / Рос. акад. наук, Кол. науч. центр, Поляр. геофиз. ин-т ; [отв. ред. А. А. Арыков].

где Е - амплитуда электрического поля; х =х(Е,н) - показатель поглощения волны; 1/ъ - множитель, учитывающий радиальную расходимость. Совместное решение уравнений (2) и (3) дает самосогла сованную картину развития ИИО / 7 / . Начальные и граничные условия е данной задаче достаточно очевидны. Зависимость профиля электронной концентрации от длительности импульса эквивалентна получаемой при рассмотрении пробоя в режиме повторяющихся коротких импульсэе, если пренебречь влиянием между импульсами процессов рекомбинации, диффузии и ветрово го сноса. На рисунке 5 показаны профили электронной концен трации после I , 6 , II и 16 микросекундных импульсов. Пунк- Рис.5. Пройтли электронной концентрации при различной длительности воздействия тир - начальный профиль. С увеличением длительности облуче ния в результате самоЕозцействия не происходит рост элек - тронной концентрации. Изменение начальных параметров как среды, так и излучения не оказывает заметного воздействия на коЕ:ечный результат - поглощение ограничивает максималь ную концентрацию на уровне 2-10 - 1 1 /dSm/ i z / , (4) где высота z отсчитывается в километрах. В качестве примера на рис . 6 показаны профили концентрации после II микросекунд ных импульсов на различных частотах при сохранении отноше ния E /f . Значения t в мегагерцах обозначены у кривых. Со отношение (4) справедливо лишь при создании ИИО е атмосфере