Осепян, А. П. Моделирование параметров потока высыпающихся электронов и высотного профиля электронной концентрации по данным аврорального поглощения / Осепян А. П., Чурикова Т. В., Власков В. А. ; АН СССР, Кол. фил. им. С. М. Кирова, Поляр. геофиз. ин-т.- Препр. ПГИ 86-11-53.

как при заданной форме энергетического спектра распределение по питч-углам определяет величину полного высыпающегося пото ка, а также наряду с энергией и глубину проникновения электро нов в таким обрезом формирует высотный профиль скорости ново образования и в итоге профиль электронной концентрапии. Реше ние этой проблемы связано с изучением механизмов потерь элект ронов из магнитосферы, которые в свою очередь обусловлены раз витием различного рода неустойчивостей в неоднородной и анизо- тропвой магнитосферной плазме. Измерения не ракетах [ i ] показа ли, что распределение по питч-углам высыпающихся электронов и величина высыпающегося потока могут значительно изменяться в течение одвого рассматриваемого события. Эпизодические измере ния не ракетах и спутниках не дают однако полной информации о распределении по питч-углам и о величине высыпающегося потока кэк в многообразных геофизических явлениях, так и в ходе одво го события. В связи с этим возникает необходимость привлечения теоретических и модельных представлений. Целью данной работы является разработка методики опреде ления параметров потока высыпающихся электровов и высотного профиля электронвой концентрации в вииней (Л-облэсть) ночной полярной ионосфере по давным авроральвого поглощения, измеряе мого риометрическим методом. 2 развиваемом вами подходе [2] к решевию поставленной за лечи точвость расчете N (К ) -профиля зависит прежде всего от точности используемых параметров высыпающегося потоке, в част ности, от вида его питч-углового распределения и способа рас чете N IK) при заданной скорости ионизации. Опенки электронной конпентрапии Ne при заданных интен- сивности потоке и форме энергетического спектрз проводились в ряде робот [5 -5 ]. К недостаткам этих расчетов следует отнести прежде всего I ) предположение об изотропном распределении вы сыпающихся электронов по питч-углам при расчете скорости ново образования [3,4] и 2) метод определения высотного профиля электронной концентрации [4,5] с использованием произвольного профиля эффективного коэффициента рекомбинации. Основой пред- лагаемой методики служат: I . Теория питч-угловой диййузии Гб], возникающей при цик лотронном резонансе энергичных электронов со свистовыми волна ми. Общепризвано, что важная роль в высыпании энергичных элект ровов, создающих высокую дополнительную ионизацию и аномальное поглощение радиоволн, принадлежит циклотронной неустойчивости. 4