Моделирование физико-химических процессов в полярной ионосфере / Акад. наук СССР, Кол. фил. им. С. М. Кирова, Поляр. геофиз. ин-т. – Апатиты : Кольский филиал АН СССР, 1986.

Рис.З. СопоставлениеN(h)-профилей дляНорильска, рассчитанныхпоионограм- мамипомодели, дляразныхмоментов местноговремен® 19 марта1976 г. сунке3 приведеныпрофилиэлект роннойконцентрациидляразных отрезковместноговременидля 19 марта1976 г. Длясравнения пунктиромпоказаныпрофили, рассчитанныепометодике/5/. Приинтенсивныхвысыпаниях спектрывторгающихсяэлектронов значительноотличаютсяотусред ненных. Вусловиях, когдаиониза цияпроисходитвосновномзасчет корпускулярногоисточника, ккор ректируемымпараметрамнеобходимо добавитьвеличинускоростиновооб разования. Онаоцениваласьпозна чениюпредельнойчастотыспорадиче скогослояЕ s, образованноговтор гающимисяэлектронами. Предполага лось, чтовысотныйходтемпературы электроновможноописатьмоделью /6/; величинаэффективногокоэффи циентарекомбинацииопределялась взависимостиоттемпературыэлект ронов/7/: 7 Т„ -0.5 ос = 3.5*10 (——— ) 300 Тогдамаксимальнаявеличинаскорос тиионизации \2 *о(НоВ> гдеос0 н е - О эффективныйкоэффициент рекомбинациидлявысоты максимумановообразования; электроннаяконцентрация вмаксимумеслоя. Отношение qs кусредненномузначениюмаксимумаионообразования, рассчитанно мувработе/2/, позволяетопределятьпоправочныйкоэффициент, спомощью котороговычисляетсяфункцияионообразованиядляконкретногослучая. Поэтомуалгоритмурассчитывалисьпрофилиэлектроннойконцентрациидля Чатаникивночноевремя, когданаблюдалисьинтенсивныевысыпанияэлектронов, характерныедляавроральнойзоны/8/. Нарисунке4 представленыпрофили электроннойконцентрациинадЧатаникойдляразныхдат: сплошнаялиния- экс перимент, прерывистая- профиль, рассчитанныйпопервомувариантукоррек ции, штрих-пунктирная- повторому. Приведеныфункцииионообразованиядля этихслучаев (штриховаялиния- усредненныевеличины, сплошная- скорректиро ваннаяпоэкспериментальнымданным). Длядиффузныхвысыпанийпрофили, рассчи танныедвумяметодамикоррекции, даютблизкиерезультаты, хорошосогласуются сэкспериментальными (рис.4а,6). Привысыпанииэлектронов жесткоготипане удалосьполучитьустойчивогорешенияпопервомуметодукоррекции, апрофиль, рассчитанныйповторомуметоду, совпадаетсэкспериментальным. Проведенныерасчетыпоказывают, чтовысотноераспределениеэлектронной концентрациидляразныхзонвысокоширотнойионосферыможетбытьописано простойсистемойуравнений, длярешениякоторойиспользуетсяпринципкоррек- 73