Метод некогерентного рассеяния радиоволн / Акад. наук СССР, Кол. фил. им. С. М. Кирова, Поляр. геофиз. ин-т. – Ленинград : Наука, Ленинградское отделение, 1979. – 186 с.
Из условия (1.214) следует, что в максимуме электронной кон центрации ионосферы полная интенсивность плазменной линии может быть меньше, чем в области пониженной электронной кон центрации. Действительно, с увеличением электронной концент рации фазовая скорость плазменных воли растет, число же над тепловых частиц, движущихся с фазовой скоростью плазменных волн, естественно, падает. Поэтому возбуждение плазменной ли нии согласно ограничениям на относительную концентрацию надтепловых частиц (1.212) оказывается затруднительным. Изме рения профиля полной мощности плазменной линии в Аресибо [34] подтверждают наши рассуждения и показывают, что в окрест ности максимума слоя F ионосферы полная интенсивность плазмен ной линии понижена. Используя определения г/. D„ и выражения (1.210) и (1.211) можно переписать в следующем виде (1.216) (1-217) Следовательно, полная интенсивность плазменной линии об ратно пропорциональна квадрату длины волны падающего излу чения и пропорциональна энергии фоновых или (при выполнении (1.212)) надтепловых электронов. В отсутствие надтепловых элек тронов измерения высотного профиля полной мощности плазмен ной линии можно использовать для определения распределения температуры фоновых электронов с высотой. При наличии над тепловых частиц и выполнении (1.212) такие измерения дадут рас пределение энергии надтепловых электронов с высотой. Численный расчет плазменной составляющей спектра неко герентно рассеянного излучения в присутствии надтепловых частиц показан на рис. 1.17 — 1.18. Вычисления произведены по форму лам (1.158) и (1.182) для частоты излучения 935 МГц, 0 () и параметров фоновой плазмы, соответствующих высоте над Землей 200 км (см. табл. 1.1). На рис. 1.17 [37 I продемонстрирован эффект влияния энергии надтепловых электронов с относительной кон центрацией 7/j 10 _3 па форму плазменной компоненты спектра. Кривые / — Г> соответствуют температуре надтепловых электронов 1-10 4 , 2-10 4 , 4-Ю 4 . 6-10 4 , 8-10 4 , 1 • 10 3 К. Рис. 1.18 показывает изменение формы спектра плазменной компоненты в зависимости от относительной концентрации надтепловых частиц (цифры около кривых) для температуры надтепловых электронов 8- К) К. Из графиков, представленных на рис . 1.17 и 1.18, видно, что форма и положение плазменной линии в спектре некогерентного рассея ния радиоволн зависят от величины параметров надтепловых элек тронов. С увеличением энергии надтепловых электронов (рис. 1.17) растет полная интенсивность рассеянного излучения и умень- 58
Made with FlippingBook
RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz