Метод некогерентного рассеяния радиоволн / Акад. наук СССР, Кол. фил. им. С. М. Кирова, Поляр. геофиз. ин-т. – Ленинград : Наука, Ленинградское отделение, 1979. – 186 с.

графике ночное понижение прерывается возрастанием, bi , [зван ­ ным возникновением возмущения. Во время продолжительного неосвещенного периода заметно понижается и электронная тем ­ пература ионосферы. Возникновение возмущения отмечается кратковременным подъемом температуры. В большинстве работ, выполненных по материалам станции Чатаника, рассматривается и непосредственное влияние авро ­ рального возмущения (суббури) на состояние ионосферы. В ра ­ боте [61 I авторы приходят к следующему общему выводу. Воз ­ никновение возмущения сопровождается вторжениями частиц, изменением теплового режима ионосферы и изменением величины электрического поля, определяющего ионный дрейф и в силу взаимодействия ионов и нейтральных частиц могущего создать увлечение ионами нейтральной атмосферы. Суммарное действие всех этих факторов па дневную ионосферу приводит к изменению вида профиля. Его перестройка состоит в уменьшении высоты основного максимума концентрации (максимума F -слоя) и умень ­ шении концентрации в максимуме, сопровождающимся более равномерным распределением электронной плотности по высоте. Это изменение часто приводит к тому, что на высотах между 150 и 300 км электронная концентрация оказывается распределенной почти равномерно. Образование нормальной структуры с хорошо выраженными слоями наблюдается на фазе восстановления после суббури. Возмущение в ночной ионосфере проявляется прежде всего в увеличении плотности Е-слоя на участке как занятом полярными сияниями, так и к экватору от него. Е-слой при этом выступает как «толстый» слой, в котором волна может претерпеть полное внутреннее отражение. Возникший во время возмущения авро ­ ральный слой Е. таким образом, характеризуется как плотный, «толстый» и захватывающий сравнительно большую полосу широт. В ночном F -слое ионизация, как правило, мала. При возник ­ новении возмущения вслед за усилением слоя Е начинает воз ­ растать и плотность в слое F, причем и здесь, так же. как и в днев ­ ном F -слое, а возможно, даже в большей степени проявляется тенденция к равномерному распределению ионизации по высоте. Наличие сильного электрического ноля приводит к быстрому смещению ионизации в направлении, перпендикулярном к элект ­ рическому полю. Возникновение сложной структуры ионосферы во время воз ­ мущения приводит к тому, что ионозондом могут приниматься отражения не только сверху, что положено в основу нормальной интерпретации ионограммы, по и сбоку, от участков с повышенной электронной плотностью. 11а ионограмме при этом регистриру ­ ется диффузный F -слой. Сопоставление ионограмм диффузного слоя с данными IIP привело авторов работы [61 | к выводу, что плотность F -слоя, определенная по внутреннему краю следа 145