Математическое моделирование систем и явлений / Акад. наук СССР, Кол. фил. им. С. М. Кирова, Вычисл. центр ; [редкол.: В. С. Мингалев (отв. ред.) и др.]. - Апатиты : Кольский филиал АН СССР, 1986.

dQ Я Г" “ N1i - N2 i+N3 i ' H4 i+(H6"N5} ^ln* (2) гдеHu - скоростьадсорбциичастиці-го сортанаединицеплощади; м2і - скоростьдесорбциичастиці-го сортанаединицеплощади; - скоростьпоявлениячастиці-го сортазасчетхимическойреакции наединицеплощади; - скоростьубыличастиці-го сортазасчетхимическойреакциина единицеплощади; Ng - скоростькристаллизации п-гокомпонентазасчетмиграцииивстра иванияеговкристаллическуюструктуруподложки; Kg - скоростьрекристаллизации п-гокомпонентазасчетхимическойре акциитравления; » і * - символКронекера. Дляперечисленныхфункцийполученывыражения: I u - j j j |uvl f i ( r e,u ,t)K i (u)du, (u^) < о) - i t - s t * VH1® (1_в Г1®1* нзі - в 4 і - -Ч fK П в^-к'П ѳі1і]> & * -) р(с)“ “ИГ N N 5 “ fin' « v a c V e С (1- Ѳѵас)^"1 * е° “КогѴ №1 ^ Ксг П і«1 гдеѵ - нормалькповерхнбстивточкеrs ; K±(u) - вероятностьадсорбциичастиці-го сорта; К,к'- константыскоростипрямойиобратнойреакций; ѴНІ - частотанормальныхкповерхностиколебанийчастиці-го сорта; к- постояннаяБольцмана; Т- температураповерхности; - энергияактивациидесорбциичастиці-го сорта; ®і=®п+і• t Qcr - энергияактивациивстраивания молекула'п, в кристаллическую структуруподложки; Ѳѵао - плотностьматематическогоожиданиячисласвободныхместадсорб ции; 78