Математическое моделирование систем и явлений / Акад. наук СССР, Кол. фил. им. С. М. Кирова, Вычисл. центр ; [редкол.: В. С. Мингалев (отв. ред.) и др.]. - Апатиты : Кольский филиал АН СССР, 1986.

7. КЛЕБАНОВЛ.А., КРОШИЛИИА.Е., НИТМАТУЛИНБ.И., НИШАТУЛИНР.И. Оги перболичности, устойчивостиикорректностизадачиКошидлясистемыуравне нийдвухскоростногодвижениядвухфазныхсред. - ПШ, 1982, т.46, №Г, с.83- 96. 8. БУСРОЙДР. Течениегазасовзвешеннымичастицами. 11., Мир, 1975, о7о С• 9. ПОЛЕЖАЕВЮ.В. Процессустановленияэрозионногоразрушенияматериала преградыпримногократномсоударениичастиц. - ИФЖ, 1979, К3, с.389-395. 10. ЛЫКОВА.В. Тепломассообмен. М., Энергия, 1978, 480 с. Г. М. КРАВЦОВ О динамике адсорбционных слоев в процессе кристаллизации Осажцениечастицизгазовойфазысучастиемгетерогенныххимическихре акцийнаходитширокоеприменениевразличныхоблаотяхпромышленности, вча стности, вмикроэлектронике. Оноиспользуетсявэпитаксиальнойтехнологи выращиваниятонкихпленокполупроводниковыхматериалов. Однакодетальноеопи саниемеханизмакристаллизацииизгазовойфазысучастиемхимическихреакций весьмазатруднительновследствиеодновременногопротеканиямногихэлементар ныхпроцессовфизическогоихимическоговзаимодействиямеждумолекулами. Изтеориигетерогенныхпроцессовизвестно/I/, чтореакциимеждугаза мииповерхностьютвердыхтелнемогутпротекатьприпрямомстолкновении молекулгазасмолекулами(атомами) поверхности. Реакции предшествуетста дияадсорбциимолекулгазанаповерхность. Такимобразом, процес кристал лизациипредставляетсобойперенососаждаемого веществаизгазовойфазыв твердуючерезпромежуточноесостояниеадсорбции. Поэтомувозникаетнеобходи мостьдетальногоизученияпроцессовадсорбции, десорбции, гетерогенныхреак цийвнеравновесныхадсорбционныхслоях. Работапосвященавопросуматематическогомоделированиядинамикиадсорб ционогослоя, состоящегоизхимическиреагирующейсмеоигазов, впроцесе кристаллизации. Допустим, чтовыполненыосновныепредположения, сформулиро- заныевработе/2/, крометого, заполнениенепревышаетмонослоя, вадсорб циономслоепротекаетоднахимическаяреакция, олиоываемаястехиометриче- скимуравнением: Ё 4 * 1 1' і Ѵ ( І) 1-1 i«1 гдеі^, - стехиометрическиекоэффициентыдляреагентовипродуктовреак ции; А^, - химическиесимволыреагентовипродуктовреакций; n,n'- общеечислохимическихкомпонентов, доипослереакции. Одинизкомпонентов (например, А^, ) послереакциивстраиваетсявподложку, осуществляяэлементарныйанткристаллизации. Дляописанияповеденияадсорбированныхчастицвведемплотность ма тематическогоожиданиячислаадсорбированныхчастицсортаі. Тогдапоанало ги с/2/ можнопостроитьсистемукинетическихуравненийадсорбционного слоя: