Математическое моделирование систем и явлений / Акад. наук СССР, Кол. фил. им. С. М. Кирова, Вычисл. центр ; [редкол.: В. С. Мингалев (отв. ред.) и др.]. - Апатиты : Кольский филиал АН СССР, 1986.

4 2 ю I 5 S T ^ - 2 0 Ж'3<? '&'-to ѵ І600 ^ да К? ш- Рис.З. ВременойходзадаваемогопотокаF0 электроновоначальной анергиейЕ= 5 кэВнауровне г = Ю00 кмприТ=60 с X .......У, 300 с (---------- )» 600 о(--- * — • ---), атакжеконцентраци науровнемак симумадополнительногоионобразования =150 кмиконцентрации, скорости ионовитемпературыэлектроновнауровне z = 320 км. Тѳ = 800°К, = 1.5 м/с. Длясравненияприведенызависимостихарактеристик плазмыотвременинавысоте г =. 320 км, совпадающейсвысотоймаксимумаионо образованиявпервомслучае. Основноевлияниенаконцентрациюплазмына уровне оказываютдваконкурирующихпроцесса: дополнительноеновобразо ваниеотпотокаэнергичныхэлектроновкакисточникирекомбинациязаряжен ныхчастицкакоток. Расматриваемаяобластьнаходитсявнижнихслояхионо сферы, гдеиз-завысокойконцентраци нейтральныхсоставляющихвеликаско- ротьрекомбинаци изатрудненпереносплазмывдольсиловыхлиниймагнитного поля. Поведениеплазмыподвоздействиемнестационарногоионобразованияс указанымипериодамиколебанияявляетсявтакихусловияхустановившимсяпро цессом, колебанияконцентраци происходятвполномсответстви сколеба ниямискоротиионобразования. Приизменени периодаколебанияионобразо ванияменяетсялишьамплитудаколебанияконцентрации, таккаквеличинавоз мущениязависит лишьотвременивоздействиявозмущающегофактора. Приве деныедлясравненияхарактеристикиионосфернойплазмынауровне г = 320 км ведутсебятакимжеобразом, какивслучаесновобразованиемотмалоэнер гичныхэлектронов. Следуетотметить, чтоэфектпониженияэлектронойтемпературывоблас тяхповышенойэлектронойконцентраци вэкспериментенаблюдалсярегулярно /2/, чтоподтверждаетправильностьвыбранойчисленоймодели. 16