Математическое моделирование систем и явлений / Акад. наук СССР, Кол. фил. им. С. М. Кирова, Вычисл. центр ; [редкол.: В. С. Мингалев (отв. ред.) и др.]. - Апатиты : Кольский филиал АН СССР, 1986.

Рис.2. ВременнойходзадаваемогопотокаF» электроновсначальной анергиейЕ0К0.3 кэВна уровнев= 1000 кмприТ-60 с(........ ), 180 с (-------------- ), 300 с(--------- ), 600 с(— • ----- ), атакжеконцент рации, скоростиионовитемдератуоыелектрововнауровнемаксимумадополни тельногоновообразования = 320'км. достижениямаксимумановообразования,нораньшемаксимумаконцентрации заря женныхчастиц. Именноватомпромежуткевременипереносплазмыизверхних слоевионосферыврассматриваемуюобластьдоводитуровеньконцентрацииплаз мыдомаксимума, после чегообщийуровеньконцентрацииначинаетпадать вследствиепреобладающеговлияниярекомбинацииивозрастающегопереноса плазмывнижележащиеслои Р-областиионосферы. Вфаземинимальногодопол нительногоновообразованияпродольныйпереносплазмыстановитсяосновным источникомзаряженныхчастиц. Это очевидноприрассмотрениивариантовсбо ле частымиколебаниямискоростидополнительногоновообразования. ПриТ=ІѲ0, 60 сколебанияискомыхвеличинсглаживаются, изменениеих вовременипроисходитмонотонно, какеслибыватмосферувторгалсястацио нарныйпотокэлектронов, усредненныйповеличине. Объясняетсяэтотем, что закороткийпромежутокминимальногоновообразованиярекомбинациянеуспе ваетдостаточноумевьшитьконцентрациюплазмыввышележащихслояхионосферы ипритокплазмысверхуполностьюкомпенсируетуничтожениеиотокплазмыв нижележащуюобласть. Рассмотримрисунок3, накоторомприведеныаналогичныеграфики, чтои нарис.2, ноэнергиявторгающихсяэлектроновЕ0 = 5 кэВ.Значенияконцентра циизаряженныхчастицприведеныдлявысотымаксимумаионообразования*д = 150 км. Другиехарактеристикиплазмынаэтойвысотеменяютсяслабоизавсе времядействиядополнительногоионообразованиянаходятсяоколозначений: 15