Иванов В.Е. Взаимодействие авроральных электронов с атмосферными газами : стат. моделирование. Санкт-Петербург, 1992.
Рис. 3 . 1 5 . Средняя энергия , запасенная в потоках вторичных электронов разных поколений. 1 - вторичные электроны первого поколения, 2 - второго, 3 - третьего. относятся процессы, описываемые сечениями с асимптотикой типа Е "* , и к третьей - с асимптотикой типа Е . Из рис. 3 . 1 1 и 3 . 1 2 видно, что для ионизации и возбуждения состояний, соответ ствующих дипольно-разрешенным переходам, вклад первичных элек тронов Л остается значительным в широком диапазоне начальных энергий. Например, при ионизации N 2 , с образованием основного состояния X2 Z l g иона он составляет 97% при Е ^ О . І к э В и падает лишь до 6 6 . 5 % с увеличением начальной энергии до 5 кэВ. Вклад вторичных электронов незначителен и достигает при 5 кэВ лишь 33 . 5%. Иную картину мы наблюдаем при формировании уровней, характеризующихся сечениями возбуждения с асимптотикой типа Е ^ (рис. 3 . 1 5 ) . В этом случае наблюдается резкий, с уве личением начальной энергии, спад величины вклада первичных элек тронов в интенсивность возбуждаемого состояния. При формировании А ъ Z! -состояния величина уменьшается от 77%, если E q% 0 . 0 5 к э В, до 4 . 5% , когда Е0 ^ 1 кэВ. В то же вре мя вклад потоков вторичных электронов в образование данного уровня превышает 5 0 % уже при E q > 1 0 0 эВ. А при начальной энергии более 0 .5 кэВ заметен и вклад электронов третьего поко ления, достигший 1 0 % и продолжающий расти с увеличением энер гии. Промежуточной ситуации в поведении отвечают процессы, описываемые сечениями с асимптотикой типа Е 1 (рис. 3 . 1 3 ) . Полезной является и характеристика, описывающая долю энергии, запасенную в электронных потоках различных поколений в зависи мости от начальной энергии тормозящегося электрона: = Ё к ( Е 0 ) / Е 0 , где - средняя энергия электронов Ѵ-го поколения. 6 6
Made with FlippingBook
RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz