Исследование высокоширотной ионосферы: [Сборник]. Апатиты, 1986.

Отметим, чтоэтовыражениесправедливотолькоприусловиитепловогоравно­ весияэлектроновсокружающимгазом. Известно, чтововремяавроральныхвозмущенийтемператураэлектронов Тенавысоте90 іш иболееможетсущественнопревышатьтемпературуТнейт­ ральногогаза, поэтомуболеекорректноиспользоватьприрасчетепоглощения высотныйпрофиль■)эф(ь), выраженныйчерезтемпературуэлектроновТе. Такие значения3 (Те) былиполученыБэнксом/9/ поформуле средниесечениястолкновенийэлектронов, имеющихмаксвелловскоераспределе­ ниескоростейприэлектроннойтемпературеТе. Отметим, чтовыведенноеБэнк­ сомвыражениедля^ (4) совпадаетсвыражениемдля^ эф(I) дляпредельного случая } « а). ЗначенияQ определенынаосновеэкспериментальныхзначений сеченийстолкновенийэлектроновхарактерныхэнергийс»2 , о2 ио,итаким образомполученыследующиевыражениядля^Эф где [и,] , [о2] и [о] - концентрациимолекулярногоазота, кислородаиато­ марногокислорода. Вусловияхтепловогоравновесияэлектроновсокружающейсредойвеличи­ ны?Эф, рассчитанныепо (5), практическиравный, определеннымпо(3). Од­ наковотличиеот(3), формулыБэнксапозволяютучестьреальнуютемперату­ руэлектроноввионосфере. НарисункеI сравниваютсяпрофили}Эф, вычисленныепоформулам(5), вусловиях: а- тепловогоравновесия(помодели c i r a -72, январь, 60° n и б- когдатемператураэлектроновпревышаеттемпературунейтралов(дляслу­ чаявозмущения14.01.69, описанноговработе/10/). Видно, чтоошибкав определении}Эфдлявозмущенныхусловий (безучетареальныхзначенийТе) можетдостигатьфактора2-3. Такимобразом, очевидно, чтоприоценкахавроральногопоглощениянеоб­ ходимоиспользоватьвысотныйпрофильэ ^ ( h ), основанныйнаформулахБэнкса Модельэлектроннойконцентрации. Восновуопределенияпрофилейэлект­ роннойконцентрацииNe положентеоретическийметод: электроннаяконцентра­ цияназаданныхуровняхионосферырассчитываетсяизионизационно-рекомбина­ ционногоциклаD-области, т.е. совокупностипроцессовионизации, рекомбина­ циииионно-молекулярныхреакцийпреобразованияионов. Используетсятеоре­ тическаямодель/II/, котораядостаточнопроста. Призаданныхскоростях ионообразованияонавключаетвсебя, помимоэлектронов, почетыреположи­ тельныхиотрицательныхиона. Ееособенностьюявляетсяучетзависимости скоростиосновныхпроцессовпреобразованияионовоттемпературыТ, влаж- (4 ) Км2) = 2.33*І0_1І[Н2](І - І.2І*І0"4Гѳ )Те г 1/2 1/2 U o 2) == I.82*I0_IC,f02K l + 3.6-I0"2Te “)Те (5) НО) = 2.8-I0"If't0]Te1/2 , (5). 5