Исследование высокоширотной ионосферы: [Сборник]. Апатиты, 1986.

( K p - 't ) (2 июни 1968 £ ,-Г0Р И Ш Т А А Ь И А Я со ста«а«ю ш ая, перлендику/і/іянля линии „ауінці-іеил*" МЧЕР -f, МТРО ит 7V «Л 7 <»0 /ц* Лв* Л ію Лб" нет i«fW" івѴ № (Лі" «/‘п * »\іГ »*w e‘06n 6h0»W бѴ” Y 519* Ы,І° Ш * Т»Ѵ 6S}‘ *7,4“ Рис.I. ЭлектрическоеполевдольпролетаИСЗ0G0-6 /18/, чтодетерминированноеописаниеконвекциибезучетастохастическихэлектри­ ческихполейявляетсягрубымприближениемкдействительности. Учетстохас­ тическойкомпонентыэлектрическихполейпредполагаетучеттогофакта, что магнитныесиловыетрубки, переносящиеплазму, совершаютбеспорядочныедви­ жения, и, следовательно, приводиткпостановкевероятностныхзадачконвекти- рующейионосферы. Рассмотримзадачуопределенияэлектронной,концентрациивобласти х? О, переносимуютудаизобластих < 0 , будемсчитатье постояннойи равной nQ. Перенососуществляетсяоднороднымполемскоростейконвекции, ориентированнымподугломехкосихистохастическимполемскоростей, ориен­ тированнымвдолькоординатых(рис.2). Будемсчитать, чтовыполняетсяли­ нейныйзаконрекомбинацииэлектроннойконцентрациискоэффициентом fi пре­ небрегаядвижениямиплазмывдольнаправленияz будемполагать, чтовоблас­ тих> 0 отсутствуютисточникиновообразования. Притакихупрощающихпред­ положенияхраспределениеэлектроннойконцентрацииприх» 0 можетбытьнай­ деноизуравнения n = nQ при х О где V - проекциянаось х скоростирегулярногосноса- (V = vdet* o o a a ), vet ve t ^ “случайнаяфункция, описывающаяскоростьстохастическогодви­ женияплазмывдольосих. В (I) былоиспользованоусловиеdiv( ^ e t +^at^ = котороеприпринятыхупрощающихпредположенияхзадачисводитсякусловию аѵ«+ div^V at^ = ---- = т,е* Vst “ oonst (2) dx Уравнение(I) удобнопреобразоватьклагранжевымпеременным 29