Исследования процессов в авроральной ионосфере методами активного воздействия : сборник научных трудов статей / Акад. наук СССР, Кол. фил. им. С. М. Кирова, Поляр. геофиз. ин-т. - Апатиты : [б. и.], 1978.

¥оты F-области (рис.36). По сравнению с 4 октября 1977 г о да заметно изменились условия освещенности в ионосфере, бо лее резко выражался суточный ход и наблюдалось меньшее число расслоений з Е-области (спорадических типов с E h ). В мо мент запуска МГД-генератора (22’ 00m LT) в ионосфере наблю далось поглощение 1.2 МГц, спорадический Е—слой типа г , с частотой экранирования 1.7 МГц. К моменту включения МЩ- гонератора регулярный слой E' имел критическую частоту менее I МГц а не был виден на ионограмме. В области Е кабліодался спорадический слой типа г , с частотой экранирования 1.7 МГц, что соответствует электронной концентрации -0..4 10^ эл.см- 3, МГД-генератор был включен в 22h00m30s LT,бли жайшая по времени ионограмма (22h 00m 306 LT) так же как и во время включения 4 октября 1977 г., показывала расслоение в спорадическом слое (рис.46). Добавочный слой имел частоты на 0.4-0.5 Мгц выше, чем основной,и наблвдался на высотах больших, чем основной спорадический слой. Через 2 мин доба вочный слой прекращал свое существование, сливаясь с основ ным спорадическим слоем. Следует отметить, что расслоение, наблюдаемое на иояо- грамме после включения МГД-генератора - явление локальное . й о н о з о н д на Рыбачьем и ионозонд в Мурманске его видят сбоку. Поэтому измерения высоты и частоты дополнительного расслое ния несколько завышены. На рисунке 6 приведен график Е-области за 10 октября 1977 года во время включения МГД-генератора, ионобонд Мур манска. Одновременные наблюдения дв.ух ионозондов 4 октября 1977 года, в Мурманске и Рыбачьем, а также наблюдения 10 ок тября 1977 года позволяют сделать следующие выводы, 1. 4 и 10 октября 1977 включение МІД-генератора про исходило при сходных ионосферных условиях в нижней ионосфере. Поглощение было минимальным, что позволяло наблюдать отраже ние на частотах выше нижнего предела аппаратуры I.2-1.3 МГц, г заметить след от слабых расслоений. Основная ионизация в Е-области, определяемая спорадическими слоями, соответствует электронной концентрации 0.5'10° эл.см" °. 2. После включения МІД-генератора внутри существующего спорадического слоя появлялось расслоение б виде более плот-