Исследование ионосферы высоких широт: сб. науч. трудов. Апатиты, 1990.
Рис. 2. Зависимостьвеличиныполноговы сыпающегосяпотокаотуровняаврорального поглощения. Влияниевысокоэнергичныхэлектронов (Е»300 кэВ) наформированиепрофиляэлект роннойконцентрациивнижнейионосферебыло проанализированодляконкретныхсобытийав роральногопоглощения (А = 1.0 дБ, 1.6 дБ и4.4 дБнаj" = 30 МГц) /7/. Нарис. 3 пред ставленыпрофилиэлектроннойконцентрации, рассчитанныенаосновеспектроввысыпающих сяэлектронов, измеренныхнаАляскевовремярассматриваемыхсобытий (кривые а) ипрофили, оцененныепопараметрамэкспоненциальногоспектра, восстанов ленногометодом/I/ повеличинеавроральногопоглощенияиэкстраполированно годоэнергии800-100 кэВ (кривые I). Здесьжекрестикамиобозначенаэлект роннаяконцентрация, измереннаявтежепериодынавысотах80-95 кмвЧата- нике ( ? = 65.1°N ), (Л= I47.I5°w) методомнекогерентногорассеяния/7/. Отмечаядостаточнохорошеесовпадениемодельныхиэкспериментальныхзначений навысотах80-95 км, следуетподчеркнутьтотфакт, чтоучетреальныхпотоков высокоэнергичныхэлектроновприводиткменеерезкомууменьшениюэлектронной концентрациивнижнейчастиД-области, чемэтоследуетизмодельныхрасчетов. ТакаякоррекцияN (h)-профилянавысотахh «75 кмпрактическинеизменяет величинуинтегральногопоглощения (оноувеличиваетсяменеечемна10$) и, Рис. 3. Профилиэлектрон нойконцентрациидляконкрет ныхслучаевавроральногопог лощения (а. бивдляА= 1.0 дБ; 1 .6 дБи4.4 дБсо ответственно): эксперименталь ноизмеренные (крестики), рас считанныенаосновеспектров, полученныхпоракетнымданным (криваяа) имодельновычис ленныхдляэкспоненциальной (кривая I) истепенной (кри вая 2) модификацийметодики. 38
Made with FlippingBook
RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz