Исследование ионосферы высоких широт: сб. науч. трудов. Апатиты, 1990.

Рис. 4. РезультатырасчетовприР 107 = 230, Кр~0. Обозначения какнарис. 2 . Анализполученныхрезультатоврасчетовпозволяетсделатьследующиевы­ вода . ПрямоерентгеновскоеиУФ-излучениеСолнцавовремяхромосферныхвспы­ шекможетоказыватьвесьмазаметноевлияниенауровеньионизациивдневной летнейвысокоширотнойионосфере. Электроннаяконцентрацияиконцентрацияот­ дельныхсортовположительныхионоввслояхЕиРІ можетувеличитьсявнес­ колькораз. ВслоеF2 измененияоказываютсягораздоменьшимиимогутдости­ гатьлишьдесятковпроцентовприсреднихсолнечныхвспышках. Возрастание концентрациизаряженныхчастиц, вызванноеповышениемионизирующегосолнечно­ гоизлучения, оказываетсяпропорциональным последнемунафиксированныхвы­ сотах. Наибольшиеотклоненияконцентрациизаряженныхчастицпроисходятна уровне, близкомкграницеЕиP-слоев. Наибольшиеотносительныеотклонения вовремявспышкиобнаруживаетконцентрацияиона02 . Концентрациямолекуляр­ ныхионов 0 g (N 0 + t N 2 увеличиваетпри"включении" ивосстанавливаетпосле "выключения" вспышкисвоиневозмущенныезначениявтечениеединицминут, 8