Исследование ионосферы и магнитосферы методами активного воздействия : сборник научных трудов / Акад. наук СССР, Кол. фил. им. С. М. Кирова, Поляр. геофиз. ин-т. - Апатиты : [б. и.], 1977. – 90 с.

А. Б. ШВАРЦБУРГ Селективный нагрев нижней ионосферы Установлена возможность локального нагрева нижней ионосферы в поле интенсивной радиоволны. В отличие от мощных станций, прогрева­ ющих всю толщу ионосферы, нами рассматривается эффект нагрева тон­ кого слоя толщиной 2 -3 км. Такая локализация связана с резонансным поглощением обыкновенной волны в магнитоактивной плазме вблизи пла­ зменного р е з о н а н с а / I / , когда частота радиоволны со близка к лэ- нгмюровской частоте Я.е^{^¥17т ',ег . В ионосферной плазме этот эффект характерен для слоя Е, когда дисперсионные свойства плазмы сущест­ венно зависят от частоты столкновений электронов с молекулами > , при этом эффект разыгрывается в области значений i>~VK=o)Hsin!k(2coSdij\ где сон - гирочастота электронов, о с - угол между вертикалью и на­ правлением геомагнитного поля. В этом случае значительная часть энергии волны поглощается в слое толщиной h порядка нескольких длин волн. Такая локализация может привести к нагреву даже в срав­ нительно слабых полях, а резонансный характер явления позволяет пе­ ремещать возмущенную область по высоте при сканировании по частоте . Поглощение обыкновенной волны X при вертикальном распростра­ нении (ос ь г ) характ ери зуетс я мнимой частью комплексного показате­ ля преломления п~і.Х. , где , 2 ^ j _____ ___________ 2 V ( i - V - i S ) _______ _____ 1 2 ( i - i s ) ( i - i s ~V ) - и S in k+\Іигы лѴ + ьи (і-іь -\і)2■ , где s = p w ' / , и =ы гн ( о г , \/= Я.ге и г , резонансу соответствует область Ѵ « І . Полное поглощение энергии волны описывается, квк известно , функцией 2 F ( z ) = e x p [ - 2 K ( z ) ] ; К ( г ) = Т Т J ' x ( z ' ) d z ' . ^ Отмеченные резонансные ситуации могут возникнуть в высоких ши­ ротах в диапазоне частот J « 300-600 кГц, что соответствует эшело­ ну высот z * 90-110 км. Пример такой ситуации возника ет, например, для частоты о = 3 , 2 * І 0 б р ад / с е к . При этом использованы высотные профили ионизации N ( Z ) и частоты столкновений т ) ( 2 ) , приве­ денные в р а б о т е / 2 / . Соответствующее этим профилям распределение 70

RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz