Геомагнитные и ионосферные возмущения в высоких широтах: сборник статей. Ленинград, 1973.

интенсивности сияния больше времени рекомбинации. Действи­ тельно, при наличии быстро меняющихся интенсивных сияний, когда условие равновесия между скоростью новообразования и скоростью рекомбинации не выполнялось, коэффициент корреля­ ции был невелик. Интересно было также сопоставить / с Д2 и с Д4 по следующей причине. На уровне максимума электронной концентрации ЛГтах=1-24 -104 f Мгц, где / есть Д либо / 0. В условиях квазиравно­ весия УѴгаах определяется скоростью ионообразования q. Согласно обще­ принятой точке зрения, I ~ q = аУѴ2, а согласно [14], I — q= $N, гд еа и fi — соответственно коэффициенты рекомбинации и прилипания элек­ тронов. В итоге, если области све­ чения и спорадической ионизации совпадают и представляют собой тон­ кий слой с постоянными « и р, то в первом случае должно бы наблю­ даться Z ■—/ 4, а во втором — / ~ Д л я случая 1 ноября 1968 г. за­ висимости Д (/), / | (I) и Д* (I) пред­ ставлены на рис. 2. Видно, что наи­ лучшее соответствие наблюдается между / и Д. Причем из рис. 2 следу­ ет невозможный случай ІѴш„ = 0 при наличии сияний. Связь между I и Д, f'l и рь для всех рассмотренных воз­ мущений была аналогична данной на рис. 2, хотя среди возмущений были и такие, когда высота E s ме­ нялась мало, и а или (3можно было считать постоянными. Таким образом, оказалось, что [I — \JN тах- По-видимому, это связано с тем, что интегральная интенсивность сияния есть функция скорости ионообразования, толщины и ширины светя­ щегося слоя, а максимум электронной концентрации слоя E s не зависит от толщины слоя. Если при увеличении интенсивности сияний их толщина и ширина возрастают, то N tmx изменяется в меньшей степени, чем следовало бы из зависимостей I ~ N m!lx или 1 ~ /VL*. В результате анализа рассмотренных случаев удалось выявить: 1) корреляция интенсивности сияний с Д ЕВслабая и лежит в пре­ делах 0—0.5; 2) коэффициент линейной корреляции между интен­ сивностью сияния и параметрами ДЕ 3 и / 0E sr для отдельных воз­ Рис. 2. Зависимость между / А , (fjE,)», (/jE,)* и / .

RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz