Физика авроральных явлений / Акад. наук СССР, Кол. фил. им. С. М. Кирова, Поляр. геофиз. ин-т. – Ленинград : Наука, 1988. – 264 с.

/V 6 Рис. 8.5. Генерация множественных микровсплесков [ 7 ] . а - модель (1 - область генерации дискретных ОНЧ-структур, 2 — область генерации электронных микровсплесков); б - распределение ошибки представления моделью экспериментальных задержек ( N - число случаев); в - распределение задержек V в множественных микровсплесках после вычитания времени движения сброшенных элек­ тронов от области генерации до ионосферы. Быстрое ( —Ю мс) и конечное изменение питч—утла резонанс­ ных электронов, ответственных за генерацию дискретного ОНЧ, при­ водит к тому, что на функции распределения горячих электронов по­ является особенность типа дополнительного пучка монохроматическо­ го по питч-углу. Возможность развития такой особенности на функ­ ции распределения показано в работе [ 4 8 ] и продемонстрировано численным моделированием генерации дискретных ОНЧ в [3 4 1 . Осо­ бенность наиболее сцльно проявляется вблизи точек отражения элек­ тронов, генерировавших ОНЧ, и может привести к развитию элек­ тростатической неустойчивости в окрестности этих точек. Возможный вариант такой неустойчивости рассмотрен в [ 3 8 ] . Рассеяние элек­ тронов с питч-углами вблизи конуса потерь на волнах этой неустой­ чивости вызывает высыпания в форме МКВ. 170