Динамические процессы и структура авроральной магнитосферы: эксперимент "Самбо": [сборник статей]. Апатиты, 1978.

ческоеполебудетприводитькразвитиюплазменныхнеустойчивостей вокрестноститочекотражения, которыетакже приведут кэфектив­ номусбросуэлектронов. Такимобразом, вэтоймодели местом гене­ рациимшсровсплескаявляетсяокрестностьточки отражения электро­ нов, участвовавшихвгенерациидискретнохю014-излучения, причем электроныбудутсбрасыватьсявобоихнаправленияхкаквюжную, такисевернуюполусферы. Отразившисьотточкиповорота, резонан­ сныеэлектронысопределенойвероятностьюмогутиницировать повторноеОНЧизлучениеиследующуюпарумикровсшіесков. Рис.8 поясняетописаннуюмодельивсветевышеописанногонетребует дополнительныхкомментариев. Заме­ намтолько, чтовпринципевозмож­ наситуация, когдадискретное ОНЧ- излучениегенерируетсявюжнуюив севернуюполусферуодновременно, тогдасуммарнаякартинкабудет суперпозициейдвух, приведенных нарис.8. Вдальнейшемдляудобст­ вамикровсплеск, электронывкото­ ромдвижутсявтомженаправлении, чтоирезонансныеэлектроны, будет называтьсямикровсплескомІ-го ти­ па, атот, вкоторомэлектроны движутсявнаправлениидискретно­ гоОНЧ-излучения,- 2-го типа. В условиях, когдапричинойсброса электроновявляетсяпродольное электрическоеполе, низкоэнергич­ ныеэлектроныначнутсбрасываться прималомзначени поля, т.е. раньшевысокоэнергичных, чемобес­ печиваетсямеханизмнеодновременногосброса. Интереснорассмот­ ретькинематическиеследствияэтоймоделиприменительноквремен­ нойструктуремножественныхмикровсплесков. Нарис.9 приведена идеализированнаясхемагенерациимножественногомшсровсплеска. Линия0 - отвечаетмагнитномуэкватору, линииI иП- точкиот­ ражениярезонансныхэлектронов(местогенерациимикровсплесков дляэлектроноввысокойэнергии), линияШ- месторегистрации микровсплеска(баллоны, ракеты, низколетящиеспутники). Если считать, чтовремятечетвдольвертикальнойосивниз, тонаклон­ ныелиниипредставляютсхематическиетраекторииэлектронов. Нак­ лонэтихлинийразный, сответственнотому, чторезонансныеивы­ сыпающиесяэлектроныимеютразныепродольныескорости. Нарис.9 Рис.8 Модельгенера­ циимикровсплесковзасчет взаимодействияволничастиц. 1 - областьвзаимодействия; 2 - микровсплескпервоготи­ па; 3 - микровсплесквторо­ готипа; 4 - ОНЧ- излучение. 82