Численные модели динамических процессов / ред. В. С. Мингалев ; Акад. наук СССР, Кол. фил. им. С. М. Кирова, ВЦ. – Апатиты : [б. и.], 1984. – 104 с.

Рис.2. Используемыеврасчетахвысотные профиликонцентрацииокисиазота. (N 0 ), м '3 магнитнойактивности, широты, временигода. Нарис.Івприве­ денырезультатырасчетов, по­ лученныеприконцентрацииN0 (рис. 2 , кривая3), меньшейв 3-4 разанавысотахниже 140 км, чемвработе/ 6 /. В областиЕпреобладающимионом становится . Расчетысис­ пользованиембольшейскорости химическойреакции/ 8 / 0£ + NO — — N0+ + 02 , г= 7.2-ІСГ 16 м Ѵ 1 , атакжесучетомдобавочногоисточникаионизации N0+ реакции НО + h O C L * ) ----- Н0+ + е припотокеизлучениянаі^, равномЗ-ІО 15 ф.м- 2 с- 1 , неизменилисущественным образомотношенияконцентрацийно+/Ор. Ночьюионизациявнижнейионосфереподдерживаетсязасчетрезонансного рассеяниясолнечногоизлучениягеокороной. Вспектресвеченияночногонеба присутствуютлинииLj. (I2I6A), (I027A), НеI (584А), НеП (304А). Интен­ сивностьпотоковрассеянногоизлученияI взависимостиотсолнечногозенит­ ногоуглаX присреднейактивности F j q у= 150 можнозадаватьследующей формулой/9/: 4яІ = Х0* (1 + В ооз X), (4) гдеВ= 0.9; lQ-» I014 , ІО1 1 , ІО12 , І.5.І0 11 ф-м~ 2 с_І для bd , L p, НеI, НеП соответственно. СеченияионизацииипоглощенияноналинииLj /10/ равны рр ПО 9 2-10 и2.4*10 іг. Из-замалойплотностинозависимостьпотокана Линии Ld отглубиныпроникновенияватмосферуопределяетсяпоглощением (сгр= Ю -24 м2 ). Вкачествеиллюстрациивлияниярассеянногоизлучениянаформирование нижнейионосферывночныхусловияхрассчитанораспределениеионовпризенит­ номуглеСолнца, равном104°, на74° с.ш. в00 чLT. Нарис.Зпредставлены скорости образованияионов ино+ прямымирассеяннымсолнеч­ нымизлучением. Видно, чтопрямое излучениедостигаетвысотбольше 200 км. Нарис.4 приведеныраспре­ деленияионов, рассчитанныепри трехразличныхвариантахспектра рассеянногоизлучения: впервом присутствуютвсевышеуказанныели­ нии (рис.4а), вовторомнетлинии ь„і(рис.4б), втретьемотсутствуют иLp (рис.4в). Сравнениерезуль­ татовпервыхдвухвариантовсвиде­ тельствуетотом, чторассеянное излучение слабовлияетнаформированиеночнойионосферывыше 100 км. От­ личиераспределенияионовпривторомитретьемвариантепоказываетважную рольизлученияналинии вобразованииЕ-слояионосферы. 250 220 190 160 130 юо ..........X ■ ---- N > 10* іот 101 Qi , m~j- с* Рис.З. Высотныепрофилискоростей образованиямолекулярныхионоввреак­ цияхфотоионизациибезучетарассеянно­ гоизлучения: ••■■ - О^, ------+- n o + исучетом------ 0 2 , ------ но-. 13