Автоматизация геофизических исследований.

допустимогообратногонапряжениянаэмиттерно-базовомпереходе применяемыхтранзисторов. Еслипривыбранномколичествевитков этоусловиеневыполняется, тонеобходимопараллельноэмиттерно- базовымпереходамвключитьдиоды, шунтирующиепереходтранзисто­ ровотобратныхнапряжений. 5. Величиныбазовыхрезисторов R-j иR 4 рассчитываютизус­ ловияполногонасыщениятранзисторовпримаксимальномтокекол­ лектора. Дляэтоговычисляютпеременноенапряжениевбазовыхоб­ мотках ° б " ^ °пит • Вычисляютмаксимальныйколлекторныйтоккмоментупереключения транзисторов / и ПИТ г л І 2 + ТТ---:-- L J * kmax 2 ’fnp* где Ljj - индуктивностьобмотки » 2 вгенри, частотавгерцах, напряжениеввольтах. Вычисляютнапряжение, приложенноекбазовымрезисторам, за­ дающимбазовыйтокнасыщенныхтранзисторов UR1,4 " D6“ I kmax‘ н3“иэ» где U R1 4 - падениенапряжениянарезисторе R-| или R 4 » иэ- на­ пряжениеэмиттерно-базовогопереходаоткрытоготранзистора(для германиевого0.3 В, длякремниевого0.7 В). Определяютвеличинурезисторов UR1 .4‘ j^tnin R, - R 4 - — “ ---------- » Ik такк где т;п - минимальноезначениекоэффициента J3 длявыбранных транзисторовпосправочнику. б. Дляобеспечениярежимамягкоговозбужденияпреобразовате­ ляпривключениипитаниянеобходимосоздатьначальноесмещение. Дляэтогоопределяюттоксмещения І см “ V R 1 . ирассчитываютвеличинурезисторовсмещения *2 “ ®5 “(Ппит“и^см* 135